1) При донорном типе проводимости примесей, т. Е для полупроводников типа Ge,Si присадки в виде полупроводников с большим количеством электронов на верхней оболочке. Типичный пример донорной примеси. — примеси элементов V группы (Р, As, Sb, Bi) в элементарных полупроводниках IV группы — Ge и Si.2) В полупроводниках концентрация электронов меньше, чем в металлах, и этообстоятельство препятствует куперовских пар электронов, характерных длясверхпроводящего состояния. Кулоновское отталкивание, препятствующее межэлектронному притяжению, оказывается тоже значительно ослабленным. Данные факты не исключаютвозможности наблюдения сверхпроводимости у полупроводников. В 1963 г. Былустановлен факт наличия сверхпроводящих свойств у полупроводников: GeTe (TK=0,08K); SrTiO3 (TK=0,3K). Характерно, что у SrTiO3 диэлектрическаяпроницаемость очень велика (~10 е 4), то есть кулоновское отталкивание было взначительной мере ослаблено. Концентрация донорно-акцепторных примесей в этихполупроводниках довольно велика, по своим свойствам они являются выраженнымиполупроводниками и по проводимости приближаются к плохо проводящим металлам. Была обнаружена сверхпроводимость и у германия с кремнием. При обычныхусловиях эти элементы являются полупроводниками. Переход в сверхпроводящеесостояние у них оказывается возможным лишь при высоком давлении (~100 кБар). При этом происходят структурные превращения, и полупроводники переходят вметаллическое состояние.
